Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IPD12N03LB G
IPD12N03LB G Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IPD12N03LB G

工場モデル IPD12N03LB G
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
パッケージ PG-TO252-3-11
株式 5043 pcs
データシート IPD(F,S,U)12N03LB GPart Number GuideMultiple Devices 04/Jun/2009
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5043のInfineon Technologies IPD12N03LB Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 20µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3-11
シリーズ OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 11.6mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大） 52W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1300 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 11 nC @ 5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 30A (Tc)
基本製品番号 IPD12N

おすすめ商品

IPD12N03LB G データテーブルPDF

データシート

IPD12N03LB Gに関連した語彙

IPD12N03LB G関連コンポーネント